| Part Number : | 1N4446TR |
|---|---|
| Výrobce / značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Popis : | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 4102 pcs |
| Datasheety | 1N4446TR.pdf |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1V @ 20mA |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Dodavatel zařízení Package | DO-35 |
| Rychlost | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série | - |
| Reverse Time Recovery (TRR) | 4ns |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Provozní teplota - spojení | 175°C (Max) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Detailní popis | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 25nA @ 20V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 200mA |
| Kapacitní @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Číslo základní části | 1N4446 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
