Vítejte na www.icgogogo.com

Zvolte jazyk

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Pokud není k dispozici jazyk, který potřebujete, prosím, „ Kontaktujte zákaznický servis

DDTB114GC-7-F

Part Number : DDTB114GC-7-F
Výrobce / značka : Diodes Incorporated
Popis : TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Stav RoHs : Bez olova / V souladu RoHS
Dostupné množství 645882 pcs
Datasheety DDTB114GC-7-F.pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) 50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Dodavatel zařízení Package SOT-23-3
Série -
Resistor - emitorová základna (R2) 10 kOhms
Power - Max 200mW
Obal Tape & Reel (TR)
Paket / krabice TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Typ montáže Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby 12 Weeks
Stav volného vedení / RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod 200MHz
Detailní popis Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Proud - Collector (Ic) (Max) 500mA
Číslo základní části DTB114
DDTB114GC-7-F
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Obrázky jsou pouze orientační. Podrobné informace o produktu naleznete v části Technické údaje produktu.
Koupit DDTB114GC-7-F s jistotou od společnosti {Define: Sys_Domain}, 1 let záruka
Pošlete žádost o nabídku o množství větších než zobrazená.
Cílová cena (USD):
Množství:
Celkový:
$US 0.00

Související produkty

Proces dodání