Vítejte na www.icgogogo.com

Zvolte jazyk

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Pokud není k dispozici jazyk, který potřebujete, prosím, „ Kontaktujte zákaznický servis

HN4C51J(TE85L,F)

Part Number : HN4C51J(TE85L,F)
Výrobce / značka : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Stav RoHs : Bez olova / V souladu RoHS
Dostupné množství 215282 pcs
Datasheety HN4C51J(TE85L,F).pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) 120V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type 2 NPN (Dual) Common Base
Dodavatel zařízení Package SMV
Série -
Power - Max 300mW
Obal Cut Tape (CT)
Paket / krabice SC-74A, SOT-753
Ostatní jména HN4C51J(TE85LF)CT
Provozní teplota 150°C (TJ)
Typ montáže Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod 100MHz
Detailní popis Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Proud - Collector (Ic) (Max) 100mA
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Obrázky jsou pouze orientační. Podrobné informace o produktu naleznete v části Technické údaje produktu.
Koupit HN4C51J(TE85L,F) s jistotou od společnosti {Define: Sys_Domain}, 1 let záruka
Pošlete žádost o nabídku o množství větších než zobrazená.
Cílová cena (USD):
Množství:
Celkový:
$US 0.00

Související produkty

Proces dodání