Part Number : | MUN5113DW1T1G |
---|---|
Výrobce / značka : | ON Semiconductor |
Popis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 1001518 pcs |
Datasheety | MUN5113DW1T1G.pdf |
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 100mA |
Napětí - Rozdělení | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 50V |
Série | - |
Stav RoHS | Tape & Reel (TR) |
Odpor - Vysílač Base (R2) (Ohm) | 47k |
Odpor - Base (R1) (Ohm) | - |
Power - Max | 250mW |
Polarizace | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Ostatní jména | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
Hluk Obrázek (dB Typ @ f) | 47k |
Typ montáže | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 10 Weeks |
Výrobní číslo výrobce | MUN5113DW1T1G |
Frekvence - Přechod | 80 @ 5mA, 10V |
Rozšířený popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Popis | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500nA |
Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
Proud - Collector (Ic) (Max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |