Vítejte na www.icgogogo.com

Zvolte jazyk

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Pokud není k dispozici jazyk, který potřebujete, prosím, „ Kontaktujte zákaznický servis

MURTA500120R

Part Number : MURTA500120R
Výrobce / značka : GeneSiC Semiconductor
Popis : DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
Stav RoHs : Bez olova / V souladu RoHS
Dostupné množství 480 pcs
Datasheety MURTA500120R.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li 2.6V @ 250A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Dodavatel zařízení Package Three Tower
Rychlost Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série -
Obal Bulk
Paket / krabice Three Tower
Provozní teplota - spojení -55°C ~ 150°C
Typ montáže Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby 4 Weeks
Stav volného vedení / RoHS Lead free / RoHS Compliant
Diode Type Standard
Konfigurace dioda 1 Pair Common Anode
Detailní popis Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower
Proud - zpìtný únikový @ Vr 25µA @ 1200V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode) 250A
MURTA500120R
GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Obrázky jsou pouze orientační. Podrobné informace o produktu naleznete v části Technické údaje produktu.
Koupit MURTA500120R s jistotou od společnosti {Define: Sys_Domain}, 1 let záruka
Pošlete žádost o nabídku o množství větších než zobrazená.
Cílová cena (USD):
Množství:
Celkový:
$US 0.00

Související produkty

Proces dodání