| Part Number : | NSBA113EDXV6T1 |
|---|---|
| Výrobce / značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Popis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Stav RoHs : | Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající |
| Dostupné množství | 4238 pcs |
| Datasheety | NSBA113EDXV6T1.pdf |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | SOT-563 |
| Série | - |
| Resistor - emitorová základna (R2) | 1 kOhms |
| Rezistor - základna (R1) | 1 kOhms |
| Power - Max | 500mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | NSBA113EDXV6T1OS |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvence - Přechod | - |
| Detailní popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Číslo základní části | NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
