| Part Number : | NSBA114YDP6T5G |
|---|---|
| Výrobce / značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Popis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 293708 pcs |
| Datasheety | NSBA114YDP6T5G.pdf |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | SOT-963 |
| Série | - |
| Resistor - emitorová základna (R2) | 47 kOhms |
| Rezistor - základna (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 408mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-963 |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 7 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod | - |
| Detailní popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Číslo základní části | NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
