| Part Number : | NTP5411NG |
|---|---|
| Výrobce / značka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Popis : | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 5615 pcs |
| Datasheety | NTP5411NG.pdf |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-220AB |
| Série | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 166W (Tc) |
| Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-220-3 |
| Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 60V |
| Detailní popis | N-Channel 60V 80A (Tc) 166W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
