| Part Number : | RN1964FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Výrobce / značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Popis : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 453066 pcs |
| Datasheety | RN1964FE(TE85L,F).pdf |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | ES6 |
| Série | - |
| Resistor - emitorová základna (R2) | 47 kOhms |
| Rezistor - základna (R1) | 47 kOhms |
| Power - Max | 100mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod | 250MHz |
| Detailní popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
