| Part Number : | RN2115MFV,L3F |
|---|---|
| Výrobce / značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Popis : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 999976 pcs |
| Datasheety | RN2115MFV,L3F.pdf |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Dodavatel zařízení Package | VESM |
| Série | - |
| Resistor - emitorová základna (R2) | 10 kOhms |
| Rezistor - základna (R1) | 2.2 kOhms |
| Power - Max | 150mW |
| Paket / krabice | SOT-723 |
| Ostatní jména | RN2115MFVL3F |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Výrobní standardní doba výroby | 16 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
