Vítejte na www.icgogogo.com

Zvolte jazyk

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Pokud není k dispozici jazyk, který potřebujete, prosím, „ Kontaktujte zákaznický servis

SI5903DC-T1-GE3

Part Number : SI5903DC-T1-GE3
Výrobce / značka : Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis : MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Stav RoHs : Bez olova / V souladu RoHS
Dostupné množství 5678 pcs
Datasheety SI5903DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id 600mV @ 250µA (Min)
Dodavatel zařízení Package 1206-8 ChipFET™
Série TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power - Max 1.1W
Obal Tape & Reel (TR)
Paket / krabice 8-SMD, Flat Lead
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds -
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Typ FET 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss) 20V
Detailní popis Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C 2.1A
Číslo základní části SI5903
SI5903DC-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Obrázky jsou pouze orientační. Podrobné informace o produktu naleznete v části Technické údaje produktu.
Koupit SI5903DC-T1-GE3 s jistotou od společnosti {Define: Sys_Domain}, 1 let záruka
Pošlete žádost o nabídku o množství větších než zobrazená.
Cílová cena (USD):
Množství:
Celkový:
$US 0.00

Související produkty

Proces dodání