| Part Number : | SI8851EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Výrobce / značka : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Popis : | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 125829 pcs |
| Datasheety | SI8851EDB-T2-E1.pdf |
| Vgs (th) (max) 'Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Série | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max) | 660mW (Ta) |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | 30-XFBGA |
| Ostatní jména | SI8851EDB-T2-E1TR |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 8V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 1.8V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 20V |
| Detailní popis | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Ta) |
| Číslo základní části | SI8851 |
