Part Number : | TK18A50D(STA4,Q,M) |
---|---|
Výrobce / značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Popis : | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS |
Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 11832 pcs |
Datasheety | 1.TK18A50D(STA4,Q,M).pdf2.TK18A50D(STA4,Q,M).pdf |
Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package | TO-220SIS |
Série | π-MOSVII |
RDS On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 9A, 10V |
Ztráta energie (Max) | 50W (Tc) |
Obal | Tube |
Paket / krabice | TO-220-3 Full Pack |
Ostatní jména | TK18A50D(STA4QM) TK18A50DSTA4QM |
Provozní teplota | 150°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET Feature | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss) | 500V |
Detailní popis | N-Channel 500V 18A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |