| Part Number : | TK560A65Y,S4X |
|---|---|
| Výrobce / značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Popis : | MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 44716 pcs |
| Datasheety | TK560A65Y,S4X.pdf |
| Vgs (th) (max) 'Id | 4V @ 240µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-220SIS |
| Série | DTMOSV |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 30W |
| Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-220-3 Full Pack |
| Ostatní jména | TK560A65Y,S4X(S TK560A65YS4X TK560A65YS4X(S |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 650V |
| Detailní popis | N-Channel 650V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Toshiba Semiconductor and Storage
