| Part Number : | TK65S04K3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Výrobce / značka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Popis : | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3 |
| Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
| Dostupné množství | 36814 pcs |
| Datasheety | TK65S04K3L(T6L1,NQ.pdf |
| Vgs (th) (max) 'Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | DPAK+ |
| Série | U-MOSIV |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 88W (Tc) |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména | TK65S04K3L(T6L1NQ TK65S04K3LT6L1NQ |
| Provozní teplota | 175°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 6V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 40V |
| Detailní popis | N-Channel 40V 65A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 65A (Ta) |
